Новосибирские ученые изобрели самую быструю в мире флешку

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова РАН разработали флеш-память, которая превосходит быстродействию и времени хранения информации флеш-накопители из других материалов в 2-3 раза.

Как сообщает издание СО РАН «Наука в Сибири», в основе разработанного сибирскими учеными устройства для хранения памяти лежит мультиграфен – несколько слоев высокотехнологичного материала (графена).

Именно этот материал был выбран для создания флеш-карты нового поколения, поскольку, эффективность флеш-памяти зависит от энергии, затрачиваемой на удаление электрона из вещества, а мультиграфен отличается большой работой выхода для электронов (порядка 5 электронвольт).

Говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано – в настоящий момент ученые ведут исследования лишь с опытными образцами.

Учитывая, что на мировом рынке флеш-памяти Россия сегодня не представлена (накопители производятся только за границей), то для коммерческого производства таких устройств хранения в нашей стране потребуется современный технологичный завод стоимостью порядка 5 млрд. долларов..

Графен был открыт российскими учеными Андреем Геймом и Константином Новоселовым, за что последние получили Нобелевскую премию по физике за 2010 год.